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推土机晶体管数目大揭秘 凭空减少8亿?

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发表于 2011 年 12 月 3 日 19:36:33 | 显示全部楼层 |阅读模式

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据著名硬件网站Anandtech创始人兼站长Anand Lai Shimpi刚刚透露的消息,AMD公关部门和他取得联系,称此前八核心推土机架构CPU的晶体管数量有误,实际数量不是20亿而是12亿。
% k4 r! B3 U( a5 ]3 A4 x/ N5 X. ^! ^9 C) S# P
推土机实际晶体管数目大揭秘% u) n; ^6 {7 |: i' b/ f; U
5 V& c2 j* Q6 B6 d- G0 r7 q  @1 C! w
AMD没有对新的数字做出进一步说明,也没有透露为何此前公布的数字有误。AMD PR补充,4模块8核心推土机的die面积没有变化,仍为315平方毫米。
" n" a7 C6 J- m7 R! {* B7 j! m1 W- a; ]# w# Z
市面常见CPU核心数量、制程工艺、晶体管数量与die面积大比拼5 ?1 ?, o1 _  J, r
+ V- J6 P) [) H9 c. k
CPU参数比较
8 B8 O/ M6 L+ H: B# ~8 q3 k* \+ WCPU  n! |) a. u: r! Q1 S! T' f
        6 w9 O0 p: h0 [" H& b
制程工艺
& H: w6 s% c" m6 K        $ p3 }- d# ~: `# f) u+ @
核心数量' A4 Y9 z( L5 Y, ?
        1 l5 z9 H& A: u1 j* i& k' ~
晶体管数量+ \6 x+ P" c2 Z5 ^; ]' R+ ^0 [# r! x
        ( e! B& L( d* g5 v
Die面积
  M9 \/ l  a: tAMD Bulldozer
' C+ |. H3 q. o        6 @9 M$ @1 s: G4 J+ q1 ~/ M% z
32nm
) g' k+ k0 T6 a; B9 J  f9 U; C        * N' u3 x( h  a% E
8
# v2 Y! ~5 c7 ~  `       
" X4 I+ |% h) {( X20亿+ L3 ^- A" E" ?- n+ a& L( Q0 [: Q
        8 C5 v) Q! m4 R0 o* p
315mm2
0 d7 ]9 W: t5 o) K# q9 j0 y& }- IAMD Thuban
, U% H/ V1 a/ \+ r4 [' @+ E- |        & L3 k" h, F! p& i  B. I. R
45nm3 \% M. G; b) Z) {! v' `
        ) g& g8 j- j. Q& h' c4 Q
6" L9 |/ T& z9 {6 A
        & W- W8 ]  }4 \# {
9.04亿
5 S! u7 t+ n$ {) {" b1 P( x       
) g8 t4 j' v! Z- b$ ]346mm23 T5 e4 A  L0 h5 X
AMD Deneb; u/ @" G7 |. m
       
5 l, w2 r4 [* t0 `4 |0 Y45nm- ]& u# P1 M, ?% h# P6 c. N0 R
        " Q5 ^# _2 p" p  h& F
4
; @* i3 @7 R1 `+ x+ J: x% j        9 R) V9 `, r5 }* E  [! u/ O
7.58亿4 i9 ]0 [  `% ?1 j5 }0 Z  t
        3 v" [  J6 G1 G( U  x0 @
258mm2
3 p- J) p0 U. Z! {2 @8 OIntel Gulftown3 K# b8 {: S5 p$ U3 d$ `% ?
       
2 r3 y& m, \0 J32nm1 `; ]) _2 B" ?2 s6 b
       
% q2 X; I3 S8 k; u; Z6 a# P6: u: X: J! l7 \! S3 x; v4 l
        - T+ x1 D/ g, L. v
11.7亿( I# S6 `3 K5 I: \' i' A, A
       
. d% h0 Q1 A; D, s: j# h. S5 |240mm2
6 ^' T% b5 L- a5 y* oIntel SNB-E. E, D5 d3 |2 h9 D. j
       
7 a. u& K* k7 g32nm& q5 w6 W8 p: h" F# i: @
        ; ~8 m  ]# a* r; z- q
60 w; P- G% v# o+ [3 z9 T6 H
        # J4 R! \8 p3 Y5 o9 ~( g; g$ T
22.7亿
" I- V+ W& L( w) z2 |        4 @  C0 D* I- l) a) x
435mm2( Y* E4 [: l  l
Intel Nehalem
4 `& r7 S  E. p: `! ~9 j4 Y        ( c9 ~5 }6 }+ V  x5 v1 [
45nm6 H" S) c+ \" D9 m: W
        / Q4 L2 C( y+ ~5 `% Z( E. f3 K: Y
4
* [9 a: Y; H% a2 \        ' C7 _9 S( U5 y
7.31亿* S: M  J* ^$ Z+ ]0 g
        ' l* \! `  L) C5 q* ?' B
263mm2
; l! P7 o- `; g) f7 k7 m& W- P1 BIntel SNB
/ s% u6 Y1 n* {: _& W5 O) i        0 l4 V8 u$ \% x1 m
32nm/ E$ }. t2 {& q, T7 b
       
  S; F: B$ S) o# R6 y" B4
% q0 ?1 z- |; a* A* ~: M, g# B       
- N% `) O5 s- t* `( J9.95亿, j  q3 K; f4 C, O4 @, s" l# ~
        / Z& a' z& P# X/ L+ s% Q* _8 ]
216mm2  |1 O; p' x1 j( h. f2 U) L6 k
Intel Lynnfield
+ P) p. t! K% z3 t1 M        " g. X$ F9 }! {  K
45nm9 F0 j6 F& I  f6 ^8 }
       
7 r! Y* U2 Y/ m+ z  H4( R  E5 \' ?& R( p7 J" H& }8 f
       
! U. _2 ~  @, R7.74亿
' i# u$ ?! C: [! n& {" p7 s+ R        " c' {1 C. \" y9 z1 s8 \/ P
296mm2! Y6 H& w* b8 [. O/ Q/ Z! C, D, D
Intel Clarkdale
: d( W- g( V8 r" L+ Z( \0 o, ?       
9 y# ~- \# R7 r* K9 i6 `- M32nm) `0 {% n5 C8 Q& o3 H- ^: w; C4 w
       
6 z1 r3 c7 q. p: p$ m/ t4 x23 H0 L/ R' a% y+ t; O: M; J2 a) Q
       
7 I# e- j6 ^3 b* A3.84亿$ D$ n% g) ]- q; j8 A# V
        " h' T( _' f. ^; M8 Y% [7 i, D
81mm2
9 K! @3 i  M& W" q8 N6 H2 C( \Intel SNB(GT1)
( f/ N6 g7 P! \4 b% F7 ^3 f       
2 J" |* n; s& j9 h32nm
9 I: x( l$ ~1 i$ ~+ d5 S. O8 d       
0 Z- v% P* W0 k! z9 J, s/ f2
2 W$ O# N% x) w7 O, ^7 G/ {        % }+ C: M' o; e1 e- d! v
5.04亿: ~8 U& Q5 r0 [5 b7 w" w+ p
        ( ^3 }7 b# \. m6 C5 P1 s1 U. ]
131mm2
* [' ^' c$ @! O7 {1 M, o$ W! vIntel SNB(GT2)0 v% C8 Z: H3 [% F
       
1 N4 u. i( l+ {# i( W+ i0 R- ~+ X32nm
( o. s4 t# A2 X& D        % `" h" U) J* g5 M5 N/ ]( ]/ g
20 q# |& u- X$ B) n" ?0 r
        3 g9 U8 I( r9 H$ v' y) w4 m! O
6.24亿
" t' O9 ^& Z. w: a, V        4 v& [1 e; n- `6 r/ |) F
149mm2/ i3 H/ z1 m: Q

8 D1 h, K, n& _$ ], N7 t尽管实际的晶体管数量削减了约40%,不过AMD首款32nm工艺的高端CPU晶体管密度还是远大于它的45nm产品。/ Z# m2 Y4 X' b: h

( U2 m" g) h' ^7 g0 K1 G1 I: a8 S推土机实际晶体管数目大揭秘4 P9 |" B2 \" P1 [- q$ R0 K1 m

6 _- m' k6 o  i# S4 ~9 u( Q( O晶体管密度不仅仅取决于制造工艺,包括芯片的细节比如逻辑模块、缓存部分和I/O晶体管都对die的最终设计有影响。高晶体管密度通常更受制造工厂的欢迎(每die的缺陷更少,一块晶圆能切割的成品更多,成本更低等),不过对于终端用户来说这都无所谓,性价比或者能耗比才是王道。
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